Datasheet BUK961R4-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK961R4-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 112 до 246 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков MOSFET, N CH, 30V, 120A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source...
ChipWorker Весь мир	BUK961R4-30E.118 NXP	112 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK961R4-30E.118 NXP	119 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	BUK961R4-30E,118 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BUK961R4-30E Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK961R4-30E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.001 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK961R430E, BUK961R4 30E