Datasheet FDD86102LZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 35 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: FDD86102LZ
Купить FDD86102LZ на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 4 268 ₽ 36 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 42 А, 0.0178 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
FDD86102LZ ON Semiconductor | от 53 ₽ | ||
FDD86102LZ ON Semiconductor | от 66 ₽ | ||
FDD86102LZ ON Semiconductor | 294 ₽ | ||
FDD86102LZ | 4 268 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 35 А, TO-252
Краткое содержание документа:
FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDD86102LZ
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 35 A, 22.5 m Features
Max rDS(on) = 22.5 m at VGS = 10 V, ID = 8 A Max rDS(on) = 31 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4) Very low Qg and Qgd compared to competing trench technologies Fast switching speed 100% UIL tested RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 42 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0178 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 54 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть