Datasheet PMBFJ620,115 - NXP Даташит JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMBFJ620,115
![]() 12 предложений от 12 поставщиков NXP PMBFJ620,115 JFET Transistor, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-363, JFET | |||
PMBFJ620115 NXP | 15 ₽ | ||
PMBFJ620,115 NXP | 22 ₽ | ||
PMBFJ620,115 | по запросу | ||
PMBFJ620115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: -25 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...
60 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
- Рассеиваемая мощность: 190 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Idss Max: 60 мА
- Current Idss Min: 24 мА
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
RoHS: есть
Варианты написания:
PMBFJ620115, PMBFJ620 115