Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBFJ309LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 1.08 до 20 783 ₽ 45 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — радиочастотные
ЗУМ-СМД Россия	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	1.08 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	от 14 ₽	Купить
Akcel Весь мир	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	от 14 ₽	Купить
Контест Россия	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	23 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
N-Channel
Features http://onsemi.com
2 SOURCE
· AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable · S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique ·

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 25 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 12 мА ...

  30 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Capacitance Ciss Max: 5 пФ
• Current Idss Max: 30 мА
• Current Idss Min: 12 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
• SMD Marking: 6 x
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vgs Off Min: -1 В

RoHS: есть