Datasheet 6MBI100VA-060-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 6 PK, В SER, 100 А, 600 В, M636 — Даташит
Наименование модели: 6MBI100VA-060-50
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100AI(C),600VV(BR)CES, N-Channel | |||
| 6MBI100VA-060-50 Fuji | 20 159 ₽ | ||
| 6MBi100VA-060-50 Fuji Electric | по запросу | ||
| 6MBI100VA-060-50 Fuji Electric | по запросу | ||
| 6MBI100VA-060-50 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, 6 PK, В SER, 100 А, 600 В, M636
Скачать Data SheetСпецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 600 В
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 28
- Рассеиваемая мощность: 335 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
6MBI100VA06050, 6MBI100VA 060 50
