Datasheet SQ9945BEY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SQ9945BEY-T1-GE3
Купить SQ9945BEY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 3 607 ₽ 25 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
SQ9945BEY-T1-GE3 Vishay | 69 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8
Краткое содержание документа:
SQ9945BEY
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) per leg Configuration 60 0.064 0.082 6 Dual
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQ9945BEYT1GE3, SQ9945BEY T1 GE3