Datasheet SIR870DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR870DP-T1-GE3
![]() 29 предложений от 13 поставщиков MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous | |||
SIR870DP-T1-GE3 | от 30 ₽ | ||
SIR870DP-T1-GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
SIR870DP-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
SIR870DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, DI, 100 В, 60 А, PPK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR870DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 104 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR870DPT1GE3, SIR870DP T1 GE3