Datasheet C4D10120E - Cree Даташит SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247 — Даташит
Наименование модели: C4D10120E
Купить C4D10120E на РадиоЛоцман.Цены — от 1.18 до 1 364 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные | |||
C4D10120E Cree | от 1.18 ₽ | ||
C4D10120E | от 466 ₽ | ||
C4D10120E-TR | от 1 364 ₽ | ||
C4D10120E Cree | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Cree
Описание: SILICON CARBIDE (SIC) диод Шоттки, 18 А, 1200 В, TO-247
Спецификации:
- Diode Type: SiC Schottky
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1200 В
- Forward Current If(AV): 18 А
- Forward Voltage VF Max: 1.8 В
- Forward Surge Current Ifsm Max: 46 А
RoHS: есть