Datasheet BUK9Y104-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: BUK9Y104-100B
Купить BUK9Y104-100B на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 140 ₽ 31 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
BUK9Y104-100B,115 Nexperia | от 12 ₽ | ||
BUK9Y104-100B.115 Nexperia | 23 ₽ | ||
BUK9Y104-100B Nexperia | по запросу | ||
BUK9Y104-100B,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 14.8 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
BUK9Y104-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.086 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
- Рассеиваемая мощность: 59 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: LFPAK
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y104100B, BUK9Y104 100B