Клеммные колодки Keen Side

Datasheet BUK9Y09-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK9Y09-40B

Наименование модели: BUK9Y09-40B

31 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y09-40B.115
Nexperia
36 ₽
ЧипСити
Россия
BUK9Y09-40B,115
NXP
64 ₽
BUK9Y09-40B,115
NXP
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
BUK9Y09-40B
NXP
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y09-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0058 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.65 В
  • Рассеиваемая мощность: 105.3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y0940B, BUK9Y09 40B

На английском языке: Datasheet BUK9Y09-40B - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 75 A, LFPAK

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс