Новости Wolfspeed - 2

11. Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей
    Электронные компоненты Wolfspeed
    Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество минимальные значения ...
    03-02-2021
12. Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания
    Wolfspeed
    Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого тотемного столба (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности источников питания. Компания ...
    20-01-2021

13. Быстрые диоды 6-го поколения для лидеров!
    Дискретные компоненты Wolfspeed
    В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А. Отличительной особенностью ...
    13-01-2021
14. Карбид-кремниевые MOSFET 900 В - современные решения для инверторов электромобилей!
    Дискретные компоненты Силовая электроника Wolfspeed
    Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать на базе того же карбида кремния решения для ...
    18-11-2020

15. Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала
    Дискретные компоненты Силовая электроника Wolfspeed C3M0016120K
    Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество ...

    Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

    Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing the industry’s lowest R DS(ON) SiC MOSFET at 1200 V in a discrete package. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler ...

    12-06-2019
16. Wolfspeed выпускает первый в отрасли 1000-вольтовый SiC MOSFET
    Дискретные компоненты Силовая электроника Wolfspeed C3M0065100K
    Принадлежащая Cree компания Wolfspeed анонсировала выпуск 1000-вольтовых MOSFET, которые позволят снизить общую стоимость систем, одновременно улучшив их КПД и снизив размеры. Новые MOSFET, специально оптимизированные для устройств быстрой зарядки ...

    Wolfspeed Delivers Industry's First 1000V SiC MOSFET

    Wolfspeed, a Cree Company has introduced a 1000 V MOSFET that enables a reduction in overall system cost, while improving system efficiency and decreasing system-size. The new MOSFET, specially optimized for fast charging and industrial power ...

    19-10-2016

Сортировать по: релевантность / дата