Компания Diodes анонсировала первый в отрасли сдвоенный 40-вольтовый MOSFET для приложений автомобильной электроники в корпусе размером 3.3 мм × 3.3 мм. Устройство DMT47M2LDVQ может заменить два дискретных MOSFET и сократить занимаемую площадь платы во многих автомобильных приложениях – от управления электроприводом сидений до современных систем помощи водителю.
В корпусе DMT47M2LDVQ объединены два n-канальных MOSFET обогащенного типа. Для приборов такой конфигурации транзисторы имеют самые низкие в отрасли сопротивления открытых каналов – всего 10.9 мОм при напряжении затвор-исток, равном 10 В, и токе стока 30.2 А. Такое низкое сопротивление сводит к минимуму потери проводимости в таких приложениях, как беспроводная зарядка или управление электромоторами. Низкий заряд затвора с типовым значением 14.0 нКл при 10 В между затвором и истоком и токе стока 20 А гарантирует минимальные потери переключения.
Термически эффективный корпус PowerDI 3333-8 транзистора DMT47M2LDVQ обеспечивает тепловое сопротивление между переходом и корпусом 8.43 °C/Вт, что позволяет создавать конечные приложения с более высокой плотностью мощности, чем при использовании MOSFET в индивидуальных корпусах.
Транзисторы DMT47M2LDVQ выпускаются на производственных мощностях, сертифицированных по методике IATF16949 в соответствии с требованиями PPAP (процесс одобрения производства компонентов). Цена одного прибора в партии из 3000 штук составляет $0.45.
