RFMD объявила о запуске в серию первых GaN микросхем

RF Microdevices запустила в серию первые усилительные микросхемы и транзисторы, выполненные по технологии нитрида галия. RF3931, RF3826 и RFHA1000.

Эти позиции открывают на производстве RFMD целую серию полупроводниковых компонент высокой мощности нового поколения.

Основными применениями данных микросхем являются:

• Выходные каскады усиления базовых станций беспроводных приложений GSM и WiMAX
• Радиостанции, в том числе двойного применения
• РЛС различного применения

Основные характеристики микросхем приведены ниже:

RF3931:

• Частотный диапазон DC…4 ГГц
• Коэфф. усиления 15 дБ
• Напряжение питания 48 В
• Выходная мощность по уровню P3 30Вт
• Температурный диапазон -40 + 85 °С.

RFHA1000:

• Частотный диапазон 100 МГц …1 ГГц
• Коэфф. усиления > 16 дБ
• Напряжение питания 28 В
• Выходная мощность по уровню P3 12 Вт
• Температурный диапазон -40 + 85 °С.

RF3826:

• Частотный диапазон 30 МГц…2.5 ГГц
• Коэфф. усиления 13 дБ
• Напряжение питания 28 В
• Выходная мощность по уровню P3 9 Вт
• Температурный диапазон -40 + 85 °С.

В ближайшее время планируется запустить в серию GaN компоненты на более высокие уровни мощности.