Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,526
Репутация: 260
|
Цитата:
Sam Davis Power Electronics Исследователи из Арканзасского университета разработали интегральные схемы, способные сохранять работоспособность при температуре, превышающей 350 °C. «Высокая выносливость микросхем позволяет размещать их в таких местах, где стандартные кремниевые компоненты выжить не могут, - сказал заслуженный профессор Алан Мантут (Alan Mantooth).
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 24.01.2015
Сообщений: 397
Репутация: 16
|
Примерно год назад на просторах радиолоцмана была статья о работе ОЗУ, искать ссылку не буду, но температура работы ОЗУ в компе на доли секунд повышается до 800 градусов. Можно писать грандиозную статью о сверхярких светодиодах в реалии, о керамической подложке и той же температуре 2300 градусов и большой проблеме отвести тепло от кристала из за чего кристалы горят, как свечки.
|
||
Оценка
|
Эксперт
Регистрация: 17.04.2014
Адрес: Южное Подмосковье
Сообщений: 1,813
Репутация: 792
|
Ещё в 80-х годах прошлого века в Институте электроники АН Белоруссии были разработаны ВИСы (вакуумные интегральные схемы) на основе кристалла корунда размером 7х7х0.5 мм. В нём размещалось 4 до 6 микрорадиоламп (триодов) с накалом, подогревным катодом и щелевой сеткой, на основе которых строились различные устройства, генераторы (100МГц), усилители и т.д. Эти ВИСы сохраняли работоспособность при температуре до 500 град. и вблизи активной зоны ядерного реактора!
|
||
Оценка
|
Новичок
|
А откуда данные про 500 градусов? известные мне ВИСы работали только в диапазоне до +250 градусов...
Но в любом случае, до интегральной микросхемы им о-очень далеко в отношении плотности элементов. Да и потребление... В общем, трудно сравнивать, это просто приборы разного класса. Можно ещё пневмонику вспомнить. Тоже, теоретически температурный предел ограничен лишь жаростойкостью материалов. Но размеры, размеры... |
||
Оценка
|
Эксперт
Регистрация: 17.04.2014
Адрес: Южное Подмосковье
Сообщений: 1,813
Репутация: 792
|
Уважаемый Клапауций, Вы безусловно правы в том, что до полупроводниковых микросхем ВИСам далеко. И проблема не в том, что лампы несоизмеримы по размеру с инжектированным транзистором. Опять же, нужен "ламповый" вакуум, мощный источник для питания накала ламп и др. Проблема в отсутствии стабильных автокатодов (катодов с автоэлектронной эмиссией). При их наличии технически возможно создание лампы в объёме нескольких кубических микрометров! Что касается температуры, то и здесь Вы правы. 250 градусов это рабочая температура кристалла ВИС (работают накалы ламп). Однако, это не исключает возможности их работы при 500-ах градусов и мощности гамма-излучения более 2000 Рентген! И полёты на Венеру это доказали.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |