HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Обсуждение: Высокоэффективный подход к построению входных диодных мостов

Страница 7 из 7
Новичок
 
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
4 0
0 0
 
10.05.2015 02:17 #61
Цитата:
Сообщение от Onkel
технические данные- не вопрос веры.
А чего же ещё ? Не будешь же каждую деталь прогонять по полному циклу испытаний. Вот и приходится верить написанному.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Нужно будет 1 мОм - будет 1 мОм.
Партия сказала надо.... А почему сразу не микроОмы, а лучше сверхпроводимость. Всему есть предел. В них, только сопротивление ножек, на пол миллиОма затянет. И материал кристала, явно не медь.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Кремниевый диод на pn переходе всегда будет просаживать 0,6-0,7 В, диод Шоттки на кремнии - 0,3- 0,4 В, это - законы физики, а просадка напряжения на мосфите - вопрос технологии.
Не нужно путать законы со свойствами.
Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов. В кремний можно присадок добавить.
Придумали же диод шотки и карбид кремния, и ещё что нибудь придумают. Возможно на основе графена.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Так что статья актуальна и правильна.
А кто против ? Вполне сгодится, качестве костыля, до момента появления нового класса диодов, с более низким напряжение открытия. Я просто указал на явные недостатки схемотехнического решения.
Оценка
В многообразии литиевых батареек и аккумуляторов нет какого-то универсального или идеального варианта. Выбирая тот или иной вариант для питания устройства, разработчику приходится оперировать множеством параметров, используя наиболее оптимальное их сочетание для каждого приложения. Разберем параметры для различных приложений.
Новичок
 
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
26 6
0 4
 
11.05.2015 09:20 #62
vt1980
---Не нужно путать законы со свойствами.

не нужно. Напряжение падения на pn- переходе - закон, сопротивление легированного кристалла - свойство. Свойство можно оптимизировать, например, уменьшать.

----Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов.
вы не путаете физику полупроводников с физикой металлов? Имхо и ваша любовь к трепу - следствие простого незнания законов физики. В pn переходе падение напряжения (примерно, для незнающих физику приближение сойдет) ширина запрещенной зоны минус энергии зон доноров и акцепторов. Она не может быть очень малой - когда она мала -тогда полупроводник становится металлом.
---- В кремний можно присадок добавить.
Присадки - они в металлургии. В физике у вас не получится создать достаточно глубокие зоны с достаточным временем жизни носителей. Что же до "можно добавить" - намекну вам, что все, что можно добавить в кремний, было добавлено лет 50 назад, как минимиум.
---Придумали же диод шотки и карбид кремния
диод Шоттки придумали еще до диода на pn переходе, но у него 0,3 В - опять же ограничение не технологическое, а физическое. Что же до карбида кремния- вы видимо слышали звон, но кроме звона есть его свойства - самая узкозонная модификация карбида кремния имеет шинину запрещенной зоны 2,4 эВ - вы представляете при каком напряжении будет открыт диод на SiC? А применяют SiC диоды при высоких напряжениях, потому что у него лавинные свойства лучше, и при свч - потому что на более глубоких уровнях и зонах SiC диссипация быстрее.
Последний раз редактировалось Onkel; 11.05.2015 в 09:50.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
4 0
0 0
 
12.05.2015 08:29 #63
Цитата:
Сообщение от Onkel
Свойство можно оптимизировать, например, уменьшать.
Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства. А то получается что причина и следствие наоборот.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Что же до карбида кремния- вы видимо слышали звон
Я говорил в общем, про улучшение характеристик, а не только про напряжение перехода.
Цитата:
Сообщение от Onkel
когда она мала -тогда полупроводник становится металлом.
Всё таки до нуля ещё далеко. Я видел статьи, где говорится что даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
26 6
0 4
 
12.05.2015 11:19 #64
---vt1980
---Я говорил в общем
а я конкретно. Транзисторы на карбиде кремния неприменимы для выпрямления низких напряжений.
---Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства
свойства прибора, в частности мосфита - сопротивление открытого канала уменьшается набором площади в основном. Материал - легатуры кремния можно пересчитать по пальцам, и все они уже и в хвост и в гриву поисследованы. Реально - ближайшие (справа, слева, и справа/слева плюс выше /ниже) - все остальное дает не уровни и не зоны, а целые структуры уровней, которые превращают полупроводник в решето.
--- даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают.
это не мировой рекорд. логика с комплементарной парой кмоп на кремнии работает при 0.8 В - это серийная логика. Кстати, что это вы меряете в эВ - энергию одного электрона ?
Оценка
Ответ
Страница 7 из 7
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Часовой пояс GMT +3, время: 03:14.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх