Datasheets - 10

Вид: Список / Картинки

181. MOC3032M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3032M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
182. MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3031M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...

183. MOC3031SR2M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3031M MOC3031SR2M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
184. MOC3031SM — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3031M MOC3031SM
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...

185. MOC3031M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3031M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
186. MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3033M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
187. MOC3033SVM — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SVM
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
188. MOC3033SR2M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SR2M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
189. MOC3033SM — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3033M MOC3033SM
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
190. MOC3033M — Datasheet ON Semiconductor
     Оптопары с тиристорным и симисторным выходом ON Semiconductor MOC3033M
     Выходная оптопара драйвера симистора, 6-контактный DIP, 250 В, пересечение нуля Устройства MOC303XM и MOC304XM состоят из инфракрасного излучающего диода AlGaAs, оптически связанного с монолитным кремниевым детектором, выполняющим функцию ...
191. SiHFU9310 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFU9310
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFU9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
192. SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFU9310 SiHFU9310-GE3
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFU9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
193. SiHFR9310 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFR9310
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
194. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRR-GE3
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
195. SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TR-GE3
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
196. SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRL-GE3
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
197. SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay SiHFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
198. IRFU9310 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay IRFU9310
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFU9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
199. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFU9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
200. IRFR9310 — Datasheet Vishay
     Полевые транзисторы Vishay IRFR9310
     Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
     Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...