Datasheet RSQ045N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 4.5 А — Даташит

Rohm RSQ045N03TR

Наименование модели: RSQ045N03TR

Купить RSQ045N03TR на РадиоЛоцман.Цены — от 4.84 до 2 480 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Utmel Весь мир	RSQ045N03TR Rohm	от 4.84 ₽
Akcel Весь мир	RSQ045N03TR Rohm	от 4.97 ₽
ЧипСити Россия	RSQ045N03TR Rohm	29 ₽
ChipWorker Весь мир	RSQ045N03TR	112 ₽

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 4.5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSQ045N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSQ045N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 4.5 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On State Resistance: 38 МОм
Корпус транзистора: TSMT
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Capacitance Ciss Typ: 520 пФ
Fall Time tf: 14 нс
On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 51 МОм
On State resistance @ Vgs = 10V: 38 МОм
Тип корпуса: TSMT6
Pin Configuration: D(1+2+5+6), G(3), S(4)
Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
Pulse Current Idm: 18 А
Rise Time: 19 нс
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
Тип транзистора: Enhancement
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 2.5 В
Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть