Datasheet RSQ025P03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 30 В, 2.5 А — Даташит

Rohm RSQ025P03TR

Наименование модели: RSQ025P03TR

Купить RSQ025P03TR на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 590 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
AiPCBA Весь мир	RSQ025P03TR	46 ₽
ChipWorker Весь мир	RSQ025P03TR	47 ₽
Acme Chip Весь мир	RSQ025P03TR Rohm	по запросу
T-electron Россия и страны СНГ	RSQ025P03TR Rohm	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, 30 В, 2.5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSQ025P03
Transistor
4V Drive Pch MOS FET
RSQ025P03
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: 2.5 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On State Resistance: 120 МОм
Корпус транзистора: TSMT
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
Тип корпуса: TSMT6
Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
Pulse Current Idm: 10 А
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
Тип транзистора: Enhancement
Voltage Vds Typ: -30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
Voltage Vgs th Max: -2.5 В
Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть