Datasheet FDS8870 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS8870
Купить FDS8870 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 4 377 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков МОП-транзистор 30V N-Ch PowerTrench МОП-транзистор | |||
FDS8870 ON Semiconductor | 21 ₽ | ||
FDS8870 ON Semiconductor | 22 ₽ | ||
FDS8870 Fairchild | по запросу | ||
FDS8870 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
FDS8870 N-Channel PowerTrench® MOSFET
April 2005
FDS8870 N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 18A, 4.2m Features
r DS(ON) = 4.2m, VGS = 10V, ID = 18A r DS(ON) = 4.9m, V GS = 4.5V, ID = 17A High performance trench technology for extremely low r DS(ON) Low gate charge High power and current handling capability
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 18 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 90 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть