Datasheet NTE859 - NTE Electronics Даташит ИС, операционный усилитель, 3 МГц, 13 В/мкс, DIP-14 — Даташит

Купить NTE859 на РадиоЛоцман.Цены — от 228 до 29 825 ₽ 19 предложений от 12 поставщиков IC: операционный усилитель; 3МГц; Ch: 4; DIP14; ±15ВDC
ЧипСити Россия	NTE859SM-LF NTE Electronics	228 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE859SM NTE Electronics	283 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE859 NTE Electronics	791 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	NTE859. NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: ИС, операционный усилитель, 3 МГц, 13 В/мкс, DIP-14

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE859/NTE859SM Integrated Circuit Quad, Low Noise, JFET Input Operational Amplifier
Description: The NTE859 (14-Lead DIP) and NTE859SM (SOIC-14 Surface Mount) JFET-input operational amplifiers are low noise amplifiers with low noise input bias, offset currents, and fast slew rate.

The low harmonic distortion and low noise make these devices ideally suited as amplifiers for high-fidelity and audio preamplifier applications. Each amplifier features JFET-inputs (for high input impedance) coupled with bipolar output stages all integrated on a single monolithic chip. Features: D Low Power Consumption D Wide Common-Mode and Differential Voltage Ranges D Low Input Bias and Offset Currents D Output Short-Circuit Protection D Low Total Harmonic Distortion: 0.003% Typ D Low Noise: Vn = 18nVHZ Typ D High Input Impedance: JFET-Input Stage D Internal Frequency Compensation D Latch-Up Free Operation D High Slew Rate: 13V/µs Typ Absolute Maximum Ratings: (TA = 0 to +70°C unless otherwise specified)

Спецификации:

• Тип ОУ: Low Noise
• Количество усилителей: 4
• Полоса частот: 3 МГц
• Скорость нарастания: 13 В/мкс
• Диапазон напряжения питания: ± 15 В
• Тип корпуса: DIP
• Количество выводов: 14
• Рабочий диапазон температрур: 0°C ... +70°C

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• National Semiconductor - LF347BN/NOPB
• STMicroelectronics - LF347N.
• STMicroelectronics - TL084ACN