Datasheet SK10GH123 - Semikron Даташит IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200 В — Даташит

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200 В

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 16 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3.2 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SEMITOP 2
• External Depth: 28 мм
• Внешняя ширина: 40.5 мм
• Количество транзисторов: 4
• Тип корпуса: SEMITOP 2
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 16 А
• Current Ic Continuous a Max: 16 А
• Current Ic Continuous b Max: 11 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 38 мм
• Fixing Hole Diameter: 2 мм
• Power Dissipation Pd: 1.8 кВт
• Pulsed Current Icm: 32 А
• Rise Time: 45 нс
• SMD Marking: SEMITOP2
• Voltage: 1.2 кВ
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть