Datasheet DIM200WHS12-A000 - Dynex Даташит IGBT, HALF-BRIDGE 200 А 1200 В — Даташит

Подробное описание

Производитель: Dynex

Описание: IGBT, HALF-BRIDGE 200 А 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DIM200WHS12-A000
DIM200WHS12-A000
Half Bridge IGBT Module
Replaces December 2003 version, issue DS5671-2.2 DS5671-3.0 February 2004
FEATURES

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: Вт
• Current Ic @ Vce Sat: 200 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 80°C
• Fall Time tf: 50 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Power Dissipation: 1.39 кВт
• Power Dissipation Pd: 1.39 кВт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 95 нс
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

DIM200WHS12A000, DIM200WHS12 A000