OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet FZ1000R33HL3 - Infineon Даташит IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А — Даташит

Infineon FZ1000R33HL3

Наименование модели: FZ1000R33HL3

13 предложений от 10 поставщиков
3300V IHV B 130mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your traction and industry applications.
T-electron
Россия и страны СНГ
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon
131 717 ₽
ЧипСити
Россия
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon
135 703 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon
по запросу
Akcel
Весь мир
1SP0635V2M1C-FZ1000R33HL3
Power Integrations
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 В, 1000 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ ! " # $ %
! !
" "
#
!&'( ) ** +& ,-.

)

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 1000 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 3.3 кВ
  • Рабочий диапазон температрур: -50°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 7
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 9.6 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • DAVICO - D 25-10
  • TE Connectivity - 0-0160170-0

На английском языке: Datasheet FZ1000R33HL3 - Infineon IGBT, HI PO, 1 S/W, 3300 V, 1000 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России