Datasheet FS75R12W2T4_B11 - Infineon Даташит IGBT, L мощность, 1200 В, 75 А, EASYPACK — Даташит
Наименование модели: FS75R12W2T4_B11
Купить FS75R12W2T4_B11 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 819 до 12 298 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC | |||
| FS75R12W2T4 Infineon | 1 819 ₽ | ||
| FS75R12W2T4_B11 Infineon | 3 595 ₽ | ||
| FS75R12W2T4BOMA1 Infineon | 7 679 ₽ | ||
| FS75R12W2T4PBPSA1 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, L мощность, 1200 В, 75 А, EASYPACK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
EasyPACK 2B Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FS75R12W2T4_B11
' ()* + ,-.
(0 + ,-.3 ()* + !4,-. (0 + ,-.3 ()* + !4,-. % ;+!% (0 + ,-.3 ()* + !4,-.
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 75 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 18
- Рассеиваемая мощность максимальная: 375 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FS75R12W2T4
