Datasheet FS35R12W1T4 - Infineon Даташит IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK — Даташит
Наименование модели: FS35R12W1T4
Купить FS35R12W1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 537 до 7 537 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A | |||
| FS35R12W1T4BOMA1 Infineon | 2 537 ₽ | ||
| FS35R12W1T4BOMA1 Infineon | от 3 370 ₽ | ||
| FS35R12W1T4BOMA1 Infineon | 3 741 ₽ | ||
| FS35R12W1T4_B11 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, LOW POW, 1200 В, 35 А, EASYPACK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FS35R12W1T4
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorlдufige Daten / preliminary data
Спецификации:
- Module Configuration: Six
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 35 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Power Dissipation Max: 225 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 18
RoHS: есть
