Datasheet IGB10N60T - Infineon Даташит IGBT,600V,10A,TO263 — Даташит

Купить IGB10N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 216 ₽ 18 предложений от 10 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
AliExpress Весь мир	IGB10N60T G10T60 G10N60 SGB10N60A SGB10N60 G10N60A-263 10A 600V мощный IGBT транзистор в наличии на складе	32 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IGB10N60T Infineon	69 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IGB10N60T Infineon	102 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IGB10N60T Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,600V,10A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IGB10N60T p
Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology
· · · · · · · · · · ·
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 110 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fairchild - FSAM10SH60A