OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet IGA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT,1200V,3A,TO220 — Даташит

Infineon IGA03N120H2

Наименование модели: IGA03N120H2

23 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 8,2А; 29Вт; TO220FP; одиночный транзистор
T-electron
Россия и страны СНГ
IGA03N120H2XKSA1
Infineon
86 ₽
ЧипСити
Россия
IGA03N120H2XKSA1
Infineon
123 ₽
AiPCBA
Весь мир
IGA03N120H2XKSA1
Infineon
130 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
IGA03N120H2XKSA1
Infineon
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,1200V,3A,TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGA03N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
· ·
Designed for: - TV ­ Horizontal Line Deflection 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Gate-Control

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 3 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
  • Power Dissipation Max: 29 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - MAX01G

На английском языке: Datasheet IGA03N120H2 - Infineon IGBT,1200V,3A,TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России