Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet HGTG12N60A4 - Fairchild Даташит IGBT, N, TO-247 — Даташит

Fairchild HGTG12N60A4

Наименование модели: HGTG12N60A4

29 предложений от 19 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG12N60A4D
Fairchild
57 ₽
Utmel
Весь мир
HGTG12N60A4
ON Semiconductor
от 153 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
HGTG12N60A4D
Fairchild
7 555 ₽
Acme Chip
Весь мир
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: IGBT, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP12N60A4, HGTG12N60A4, HGT1S12N60A4S9A Rev.

B2
HGTP12N60A4, HGTG12N60A4,
HGT1S12N60A4S9A
600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 54 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
  • Power Dissipation Max: 167 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Alternate Case Style: SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max: 54 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Device Marking: HGTG12N60A4
  • Fall Time tf: 18 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case: TO-247
  • Pin Format: GCE
  • Power Dissipation: 167 Вт
  • Power Dissipation Pd: 167 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max: 167 Вт
  • Pulsed Current Icm: 96 А
  • Rise Time: 8 нс
  • SVHC (Secondary): Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet HGTG12N60A4 - Fairchild IGBT, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России