Datasheet GT25Q102 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(LH) — Даташит

Купить GT25Q102 на РадиоЛоцман.Цены — от 508 до 3 074 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-21F2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
AliExpress Весь мир	Новинка, оригинал, 5 шт./партия, GT25Q101 или GT25Q102 или GT25Q301, стандартная мощность 25 А, мощность 1200 в, IGBT	508 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	GT25Q102(Q) Toshiba	3 036 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	GT25Q102(Q) Toshiba	3 074 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	GT25Q102	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT25Q102
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT25Q102
High Power Switching Applications
Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (LH)
• Current Ic Continuous a Max: 25 А
• Fall Time Typ: 160 нс
• Package / Case: TO-3P (LH)
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulsed Current Icm: 50 А
• Rise Time: 100 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5