Datasheet GA200SA60UPBF - Vishay Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -50066A
GA200SA60U
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· UltraFast: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · Fully isolate package ( 2,500 Volt AC/RMS) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · Industry standard outline

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В
• Power Dissipation Max: 500 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 460 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Package / Case: ISOTOP
• Power Dissipation: 500 Вт
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 75 нс
• Termination Type: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459