Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IXGR32N170AH1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXGR32N170AH1

Наименование модели: IXGR32N170AH1

10 предложений от 10 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 26A 200000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
ЧипСити
Россия
IXGR32N170AH1
IXYS
1 851 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXGR32N170AH1
IXYS
1 963 ₽
Acme Chip
Весь мир
IXGR32N170AH1
IXYS
по запросу
Utmel
Весь мир
IXGR32N170AH1
IXYS
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advance Technical Information
High Voltage IGBT with Diode
Electrically Isolated Tab
IXGR 32N170AH1
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 26 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 5.2 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Current Ic Continuous a Max: 26 А
  • Fall Time tf: 50 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
  • Package / Case: ISOPLUS-247
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 200 Вт
  • Rise Time: 50 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 1700 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGR32N170AH1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России