Datasheet STGB10NC60KDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 10 А, D2-PAK — Даташит

Купить STGB10NC60KDT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 180 ₽ 39 предложений от 19 поставщиков Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт
Стандарт СИЗ Россия	STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics	20 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics	46 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, SMD, 600 В, 10 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD
10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
Features
TAB TAB
3

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 60 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Ic Continuous a Max: 20 А
• Fall Time tf: 82 нс
• Тип корпуса: D2-PAK
• Рассеиваемая мощность максимальная: 60 Вт
• Pulsed Current Icm: 30 А
• Rise Time: 6 нс
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть