Datasheet IXSR35N120BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXSR35N120BD1

Наименование модели: IXSR35N120BD1

Купить IXSR35N120BD1 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 411 до 1 501 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
ЧипСити Россия	IXSR35N120BD1 IXYS	1 411 ₽
ChipWorker Весь мир	IXSR35N120BD1 IXYS	1 501 ₽
Acme Chip Весь мир	IXSR35N120BD1 IXYS	по запросу
T-electron Россия и страны СНГ	IXSR35N120BD1 IXYS	по запросу

Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT with Diode ISOPLUS 247TM
Short Circuit SOA Capability
IXSR 35N120BD1
(Electrically Isolated Backside)
VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 70 А
Collector Emitter Voltage Vces: 3.6 В
Power Dissipation Max: 250 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: ISOPLUS-247
Current Ic Continuous a Max: 70 А
Fall Time tf: 180 нс
Junction to Case Thermal Resistance A: 0.5°C/W
Package / Case: ISOPLUS-247
Pin Configuration: Copack (FRD)
Power Dissipation: 250 Вт
Rise Time: 180 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: NPN
Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть