Datasheet NTE3322 - NTE Electronics Даташит SINGLE IGBT, 900 В, 60 А — Даташит

NTE Electronics NTE3322

Наименование модели: NTE3322

Купить NTE3322 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 225 до 283 789 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Utmel Весь мир	NTE3322	от 2 225 ₽
Akcel Весь мир	NTE3322	от 2 245 ₽
ЧипСити Россия	NTE3322 NTE Electronics	2 739 ₽
Элитан Россия	NTE3322 NTE Electronics	6 918 ₽

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: SINGLE IGBT, 900 В, 60 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL
Features: D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Gate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±25V Collector Current, IC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A Emitter-Collector Foward Current, IEC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 60 А
Collector Emitter Voltage Vces: 900 В
Power Dissipation Pd: 200 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900 В
Количество выводов: 3

RoHS: есть