Datasheet NTE3320 - NTE Electronics Даташит SINGLE IGBT, 600 В, 50 А — Даташит

Купить NTE3320 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 317 до 210 636 ₽ 15 предложений от 7 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
ЧипСити Россия	NTE3320 NTE Electronics	2 317 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE3320 NTE Electronics	2 465 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE3320 NTE Electronics	от 4 726 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE3320 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: SINGLE IGBT, 600 В, 50 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Features: D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Gate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Collector Current, IC DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage, Vces: 600 В
• Power Dissipation, Pd: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 600 В
• Количество выводов: 3

RoHS: есть