Datasheet Nexperia SI2302DS,215 — Даташит
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-channel TrenchMOS logic level FET
N-channel TrenchMOS logic level FET
Выписка из документа
Цены
Купить SI2302DS,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.62 до 859 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор N-CH TRENCH 20V 2.5A | |||
SI2302DS,215 NXP | от 2.62 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | от 2.65 ₽ | ||
SI2302DS215 | 859 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
- SI2302DS,215 SI2302DS/G,215
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
Варианты написания:
SI2302DS215, SI2302DS 215