Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet IXYS IXTQ44P15T — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTQ44P15T
МодельIXTQ44P15T

Мощные МОП-транзисторы TrenchP

Datasheets

Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа

Цены

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
ЧипСити
Россия
IXTQ44P15T
IXYS
503 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXTQ44P15T
IXYS
536 ₽
МосЧип
Россия
IXTQ44P15T
IXYS
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
IXTQ44P15T
IXYS
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.

Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.

Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.

Другие варианты исполнения

IXTA44P15T IXTH44P15T IXTP44P15T

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate

На английском языке: Datasheet IXYS IXTQ44P15T

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России