Datasheet Texas Instruments INA828IDR — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | INA828 |
| Модель | INA828IDR |
50-ОјV Offset, 7-nV/в€љHz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 8-SOIC -40 to 125
Datasheets
INA828 50-µV Offset, 7-nV/в€љHz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier datasheet
PDF, 2.0 Мб, Файл опубликован: 24 авг 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить INA828IDR на РадиоЛоцман.Цены — от 211 до 1 552 ₽18 предложений от 11 поставщиков Микросхема: IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC | |||
| INA828IDR Texas Instruments | от 211 ₽ | ||
| INA828IDR Texas Instruments | 238 ₽ | ||
| INA828IDR Texas Instruments | по запросу | ||
| INA828IDR Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | D |
| Industry STD Term | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | INA828 |
| Width (мм) | 3.91 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1.58 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Bandwidth at Min Gain(Typ) | 2 МГц |
| CMRR(Min) | 140 дБ |
| Gain Error (+/-)(Max) | 0.15 % |
| Gain Non-Linearity (+/-)(Max) | 0.001 % |
| Gain(Max) | 1000 V/V |
| Gain(Min) | 1 V/V |
| Input Bias Current (+/-)(Max) | 0.6 нА |
| Input Offset (+/-)(Max) | 50 uV |
| Input Offset Drift (+/-)(Max) | 0.5 uV/C |
| Iq(Typ) | 0.6 мА |
| Noise at 0.1 Hz - 10 Hz(Typ) | 0.14 uVpp |
| Noise at 1kHz(Typ)(nV/rt | 7 Hz |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочий диапазон температур | от -40 до 125 C |
| Package Group | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) PKG |
| Rating | Catalog |
| Vs(Max) | 36 В |
| Vs(Min) | 4.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: INA828 (2)
- INA828ID INA828IDR
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Instrumentation Amplifiers
