GAN063-650WSAQ 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET Бренды: NXP Nexperia | Цена от 1 532 ₽ до 5 436 ₽ Медиана 3 371 ₽ В наличии 20 цен от 5 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 Utmel Китай Весь мир | |
GAN063-650WSA/SOT429/TO-247 | 1 532 ₽ от 1000 шт 5-7 дней склад 580 шт |
1 623 ₽ от 100 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
1 721 ₽ от 10 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
1 824 ₽ от 1 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
5 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 2 918 ₽ от 600 шт 21-42 дня склад 570 шт |
6 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
2 928 ₽ | |
7 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 153 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 58 шт |
8 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 3 191 ₽ от 300 шт 21-42 дня склад 570 шт |
9 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 241 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 58 шт |
3 330 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 58 шт | |
11 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 3 413 ₽ от 600 шт 5-10 дней склад 570 шт |
12 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 526 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 58 шт |
13 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 3 733 ₽ от 300 шт 5-10 дней склад 570 шт |
14 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 820 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 58 шт |
15 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 3 909 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 570 шт |
16 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 4 114 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 58 шт |
17 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 4 398 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 570 шт |
18 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 4 572 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 570 шт |
5 144 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 570 шт | |
20 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
5 436 ₽ |
Искать "GAN063-650WSAQ" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
USD | 89.3755 |
EUR | 96.8721 |