| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 Utmel Китай Весь мир | |
GAN063-650WSA/SOT429/TO-247 | 1 539 ₽ от 1000 шт 5-7 дней склад 580 шт |
1 631 ₽ от 100 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
1 729 ₽ от 10 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
1 833 ₽ от 1 шт 5-7 дней склад 580 шт | |
| 5 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
2 928 ₽ | |
| 6 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 2 933 ₽ от 600 шт 21-42 дня склад 570 шт |
| 7 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 153 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 58 шт |
| 8 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 3 207 ₽ от 300 шт 21-42 дня склад 570 шт |
| 9 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 241 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 58 шт |
3 330 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 58 шт | |
| 11 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 3 413 ₽ от 600 шт 5-10 дней склад 570 шт |
| 12 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 526 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 58 шт |
| 13 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 3 733 ₽ от 300 шт 5-10 дней склад 570 шт |
| 14 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 3 820 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 58 шт |
| 15 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 3 929 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 570 шт |
| 16 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 ... Далее GAN063-650WSAQGallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | 4 114 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 58 шт |
| 17 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 4 421 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 570 шт |
| 18 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В | 4 572 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 570 шт |
5 144 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 570 шт | |
| 20 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
5 436 ₽ | |
Искать "GAN063" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
| USD | 89.7869 |
| EUR | 97.1347 |
